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台积电完成0.18微米嵌入式闪存制程认证
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年04月01日 星期三

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台积电宣布完成0.18微米嵌入式闪存(embedded flash)的制程认证。据了解,新制程可提供1.8~5伏特的标准化制程、以及超低漏电制程(ultra-low leakage)等优势,并提供特定汽车产业认证过的嵌入式闪存IP。

台积电主流技术事业处处长刘信生说,成功完成0.18微米嵌入式闪存制程,正代表了台积电对模拟、功率、汽车电子等芯片市场的重视,并可扩充台积电在相关市场的产品线。根据了解,这种制程只需要用到7层光罩,就可在台积电的Fab3厂中量产投片。

目前台积电已经拥有0.25微米到90奈米的嵌入式闪存制程完整技术。增加0.18微米的制程技术,主要是因为看好未来模拟、功率、汽车电子等芯片代工市场,仍具有非常高的成长空间所致。

關鍵字: Flash  闪存  台積電 
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