电子时报消息，因消费性电子产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量只增未减，全球第一大NAND型Flash供货商三星，为持续保有市场占率、掌握庞大商机，并拉开与竞争对手的距离，已将其晶圆厂生产线大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash。

据报导，目前三星除持续扩增原先采用8吋厂生产NAND型Flash，另一方面则持续将其12吋的产能转做NAND型Flash，估计到2003年底前三星12吋厂旗下约有2.5万片产能，当中便会有高达50％产能将用于生产NAND型Flash，并将开始采用0.11微米制程；而三星的弹性策略将使其保有在全球内存市场中的大竞争优势。

此外，三星为进一步达到其永久保持其NAND型Flash与竞争对手差距，更开始将其研发策略做出重大改变，确定将原本提供DRAM产品使用的90以及70奈米制程技术，全数改由NAND型Flash产品优先使用，以利三星持续享有最佳获利空间。

DRAM业界人士指出，由于接下来市场对于NAND型Flash容量要求是愈来愈高，因此对于最先进制程技术需求更是迫在眉睫，三星此次将旗下2大内存产品采用最新制程顺位对调，绝对有其必要性存在，否则待其余半导体厂陆续加入后，三星如未能占稳技术优势，必定沦落为与竞争对手杀价竞争的局面。