账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Elpida最快可在今年第三季量产新一代DRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年05月12日 星期一

浏览人次:【1730】

据日经产业新闻报导,日本DRAM业者尔必达(Elpida)日前表示,该公司将最快从今年第三季起,领先三星等竞争对手,量产用于英特尔新型中央处理器的新一代DRAM,该新产品将取名为DDR2,记忆容量为512M,读取速度可达533Mbps,较现有产品提高30%,适用于高阶电脑及伺服器。

该报导指出,尔必达预定自2003年7月开始于广岛厂量产,计划10~12月月产量将达50万颗。而英特尔不久前亦证实,尔必达的DDR2 SDRAM晶片在英特尔新型MPU系统上相当合用,该款用于高效能电脑和伺服器上的MPU可能在今年上市。尔必达发言人表示,新一代DRAM晶片的速度更快、更省电,但该公司现仍未和英特尔谈妥出资扩厂事宜。

而预期尔必达的新产品一旦推出,将因此超越全球DRAM第一大厂南韩三星电子,成为生产新一代DRAM晶片的新龙头。三星电子和他国DRAM制造商已几乎抢光曾主导全球DRAM市场的日本制造商的市场占有率,但日本DRAM厂现仅存尔必达。尔必达已承诺展开一项扩张计画,并期望今年能转亏为盈。

尔必达将最快从第三季起量产DDR2晶片,最可能选择位在广岛县的厂房生产。尔必达正和英特尔协商,希望英特尔能在扩厂上投资约200亿日圆。尔必达预期在今年第四季,512M SDRAM的生产速度能达每月50万颗。

關鍵字: Elpida  动态随机存取内存 
相关新闻
新战国时代?智能手机竞争进入秩序重整期
力晶与尔必达合作打造最大12吋DRAM厂
Spansion与Elpida合作提供无线储存系统
Elpida兴建第二座12吋厂 将导入80奈米制程
Elpida要求日本政府对Hynix产品课征进口税
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C2C8MSNMSTACUKS
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw