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力晶与Elpida 将合作研发0.11微米DRAM制程
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年12月04日 星期三

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据国内媒体报导,日本DRAM制造商Elpida社长阪本幸雄,日前密访力晶半导体,双方并达成共同合作研发利基型DRAM及0.11微米制程的协议,阪本幸雄并强调不会把堆叠式DRAM制程技术移转给茂德。

根据力晶转述会议内容,Elpida基于研发费用考量,将委托力晶负责利基型、通讯用记忆体晶片研发,如绘图DDR及1T SRAM等产品;未来0.11微米制程,也将交由力晶12吋晶圆厂进行研发及试产。

而据指出,阪本幸雄否认外界宣称、茂德已与Elpida达成技术转移协议的消息,并向力晶保证,未来不会也不考虑技术转移新制程给茂德。

力晶董事长黄崇仁表示,力晶半导体8吋晶圆厂将转型为日系整合元件厂(IDM)晶片服务公司。为此力晶特别成立力华,整合IC设计服务及矽智材(IP)业务,准备承接日本客户订单。

關鍵字: Elpida  力晶  动态随机存取内存 
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