大陆晶圆代工业者上海中芯国际日前表示，该公司已与日本DRAM厂Elpida，签订为期五年的DRAM代工协定，中芯将自2003年起在上海8吋晶圆厂以Elpida技转之0.13微米堆叠式（Stacked）制程，为Elpida代工标准型DRAM。

中芯在2002年初由东芝、富士通技转0.18微米记忆体制程，已开始为二家大厂代工64Mb DRAM与快闪记忆体（Flash）等产品，2002年12月初则获英飞凌（Infineon ）技转0.14微米构槽式（trench）DRAM制程技术，为英飞凌代工256Mb DDR晶片，日前则宣布由Elpida取得0.13微米堆叠式DRAM制程技转，将在2003年起为Elpida生产256 Mb DDR与SDRAM晶片。

中芯表示，此次合作将促进日本半导体厂商与中国晶圆代工厂商的合作关系，此种合作模式将有效结合日本在技术、产品和设计的优势，与中国大陆的晶圆代工优势，为双方创造双赢。日本Elpida则表示，中芯将于2003年第三季开始生产，初始产能为月投1万片，2004年将提高至1.5万片。

对于中芯积极进军DRAM市场，国内DRAM厂力晶、茂矽、南亚科等均认为，短期间内大陆晶圆厂仍无法在DRAM市场有影响力。业者表示，大陆晶圆厂虽然获得国际大厂技转，但因大陆晶圆厂在国外筹资有不少限制，又无法获得当地银行大笔资金联贷，资金的不足将会影响到其未来的扩产与制程技术微缩（shrink）计划，加上现阶段美国仍限制高阶设备进口大陆，所以大陆并不是一个适合制造DRAM的地方。