根据工商时报报导，DRAM主流规格由256Mb DDR转换至512Mb DDR2，八吋厂的生产成本优势已失，十二吋厂成为各家DRAM厂卡位市占率的重要筹码，因此虽然今年DRAM价位不佳，但各家业者仍积极扩建十二吋厂生产线。根据集邦科技统计，今年第一季末全球DRAM厂十二吋厂月产能合计24万6000片，但至今年底就会扩增至41万1000片，成长率达67％。

虽然八吋厂去年成功将制程由0.14微米世代微缩至0.11微米世代，但是原本认为应该在半年内完成的制程转换，却拖延近一年才完成，而且就单位产出成本及良率来看，八吋厂具有的优势，已经明显较十二吋厂为差。

而今年DDR规格将转换至DDR2，芯片容量也将由256Mb转换至512Mb，世代交替下让DRAM厂面临的成本竞争压力更大，所以各家DRAM厂今年投资重点，全数放在十二吋厂部份。

根据集邦科技及各家DRAM厂公布数据，今年第一季底全球DRAM厂的十二吋厂月产能总计将近25万片，今年当中，三星、Hynix、英飞凌及南亚科合资的十二吋厂华亚科技、力晶、中芯等五家厂商，在扩大十二吋厂投片量最为积极，所以若各家DRAM厂顺利建置完生产线，至今年底为止，全球十二吋厂月产能总计将超过41万片，成长率高达67％。

当然各家DRAM厂虽然扩建十二吋厂，但DRAM市场在供给过剩压力下，2月以来价格一路下跌，至今256Mb DDR价位约为2.3美元，已经处于低点，所以包括三星、Hynix、美光、英飞凌、力晶等，十二吋厂产能不一定全数投产DRAM，而是提高NAND闪存的投片量。

集邦科技表示，三星目前三座十二吋厂中，有一半产能将投产NAND芯片；Hynix的十二吋厂目前投产DDR2，但八吋厂大量转投NAND芯片，今年底月产能将达10万片，十二吋厂也将在年底以70奈米投产NAND芯片；至于力晶将以1万片产能为瑞萨科技代工AG-AND闪存；当然英飞凌及美光也有部份产能移至生产NAND芯片。