三星电子(Samsung)与三星综合技术院(SAIT)，周二在旧金山举行的IEEE第70届国际电子元件会议(IEDM)上，正式发表了制造10奈米(nm)以下DRAM的关键技术。该技术透过Cell-on-Peri(CoP)架构将记忆体单元堆叠在周边电路上，并导入新型高耐热材料，成功克服制程中的高温挑战，为记忆体微缩化开启新页。

三星本次发表的技术名为「用於10nm以下CoP垂直通道DRAM电晶体的高耐热非晶氧化物半导体电晶体」。传统的CoP制程将周边电晶体置於记忆体单元下方，但在进行高温堆叠制程时，这些电晶体容易受损，进而导致效能下降。

为解决此瓶颈，三星采用了非晶????氧化物(InGaO)为基底的电晶体。这家南韩科技巨擘宣称，新材料能承受高达摄氏550度的高温，有效防止因制程高温造成的效能衰退，确保了元件的稳定性。

在技术规格方面，三星指出这种垂直通道电晶体的通道长度仅为100nm，且能与单晶片(monolithic)CoP DRAM架构完美整合。根据测试结果，该电晶体的汲极电流(drain current)劣化极微，且在长时间的老化测试中表现依然优异，证实了该技术在极微缩制程中的可靠度与实用性。