据南亚科技总经理连日昌表示，南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能，到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率，并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建。

由于今年整体市场景气起伏变化快速，PC内存容量也将会从2006年的1G成长到今年的1.4G或1.5G，此外由于PC产品的年复合成长率也会维持在一成左右，因此今年DRAM市场的年成长率预估将达到六成。

另外由于Vista效应至今都未能有效刺激市场买气，因此今年前三月DRAM价格的跌幅也到达三成，加上第二季原本就属电子业淡季，因此不会太好，预计得等到第三季PC买气时才会回升。

至于南亚在跨足NAND Flash市场的步调上，南亚曾表示只要DRAM全球市占率超过一成便是进军NAND Flash市场的时机，因此预期在明年底三A厂产能一旦达成预定目标，且全球市场占有率超过一成的时候，便是进军NAND Flash的好时机。

目前南亚三A厂在建厂的进度方面，今年五月将移入设备，七月试产，九月则可进行量产，第一阶段量产预估月产能3万片，明年第二季可达6万片产能，以90奈米进行试产，以70奈米量产，而三B厂也将提早在下半年动土，明年下半会可以70奈米试产，60奈米以下制程量产。而林口新厂也可兴建四座月产能6万片的厂房。