账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
硅成提高0.25微米以上制程生产比重
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年01月10日 星期三

浏览人次:【3041】

面对SRAM产业激烈竞争,国内最大SRAM供货商硅成集成电路表示,今年以0.25微米以上制程生产比重将由去年三成提升到今年七成以上,并开创欧美、日本等新市场,以达成营运绩效成长三成目标﹔另外硅成也计划切入RDRAM与64Mb利基型SDRAM。

硅成集成电路董事长韩光宇表示,今年产品结构仍以SRAM为最大、预估将超过五成,而DRAM估计比重为二成、逻辑IC与ASIC(特殊组件制造)比重则为一成五,而面对内存剧烈价格波动,硅成已与以台积电为主的晶圆戴工厂共同开发先进制程,藉此改善成本结构,概算去年0.25微米至0.13微米制程产出比重为三至四成,今年则将提升到七成以上。

硅成并表示,竞争对手如韩国三星及Cypress的下一世代制程仅达0.18微米,因此硅成毛利空间将比这些竞争对手更大﹔韩光宇表示,今年预估整体营收将较去年约61亿元,成长三成。

關鍵字: SRAM  硅成集成电路  台積電  韓國三星  Cvpress  韩光宇  一般逻辑组件 
相关新闻
2025国际固态电路研讨会展科研实力 台湾21篇论文入选再创新高
新思科技与台积电合作 实现数兆级电晶体AI与多晶粒晶片设计
Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍
台积电扩大与Ansys合作 整合AI技术加速3D-IC设计
矽光子产业联盟正式成立 将成半导体业『The Next Big Thing』
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» 跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BTACL6H4STACUKN
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw