台积电与ARM于2006年7月18日共同宣布，透过二家公司在芯片设计上的共同合作，已完成了65奈米低耗电量（low power）测试芯片的试制，藉由创新的低耗电量设计解决方案，成功大幅地减少芯片的动态功率消耗（dynamic power）及漏电功率消耗（leakage power）。

台积电与ARM公司经过一年的合作，以具备先进电源管理技术的ARM926EJ-STM处理器为基础，成功产出65奈米低耗电量测试芯片，藉由采用动态电压及频率调整（DVFS）技术，此一测试芯片在各种不同操作模式下，耗电量都是最省电的，动态功率消耗较原先芯片设计的降低幅度超过50％以上。同时，除了低耗电量制程所提供降低漏电功耗的优势外，台积电亦透过先进的power gating技术，可以再进一步大幅降低待机漏电功耗（standby leakage）达8倍之多。

ARM全球消费性电子市场营销总监戴维．罗斯（David Ross）18日表示，由于手机、数字家电等应用，带动0.13微米、90奈米授权加温，ARM相关的ARM9、ARM10授权案，过去一年导入量产的案量激增，估计未来四年ARM CPU核心芯片的出货量将倍增，2010年时出货量将达到45亿颗。ARM11三年前开始首度向日本手机客户授权，目前授权案量已经逐渐升高，估计今年占营收比重将突破5％。不过，今年的营收大宗仍是以0.13微米、90奈米的授权案为主。采用ARM CPU核心的芯片，今年出货量估计将达到20亿颗，过去十二个月由于上述应用导入量产带动，ARM CPU核心的芯片出货累计，就已达到18亿颗。

Ross指出，今年全球IC设计客户以0.13微米导入量产的案量最多，其中台湾地区客户采用0.13微米设计的案量也明显增加，对90奈米授权的兴趣也较以往明显提升，至于大陆地区的设计能力，将提升至0.18微米为主。

行动产品需要采用更先进的制程技术来提供更好的功能与效能，电源效率（power efficiency）成为半导体业界最大的挑战。ARM与台积电目前合作包括65奈米及45奈米制程技术，此次成功生产此一测试芯片，并且完全通过功能验证，除了展现技术合作的成果，亦能够达成大幅降低漏电及动态功率消耗的目标。台积电藉由与ARM合作测试芯片试制成功，也让台积电可以提供其它客户一些创新的解决方案，如Multi-corner timing closure方案，能够预期由于电压调整（voltage scaling）所导致的时序影响，分析出对提供不同临界电压（threshold voltage）的数据库单位件的时序所造成的影响。