据外电报导，瑞典艾波比集团（ABB Group）和英国戴比尔斯工业钻石公司（DeBeers Industrial），日前共同发表了利用调整后的化学气相沉积法（CVD），制造高纯度钻石薄片的最新技术。晶片制造商已经可以使用CVD来压缩比头发切面还薄的矽和二氧化矽薄片。

据报导，钻石在理论上是许多种微型电路的理想材料，因为其结合了某些较罕见的半导体所需元素特性，如亚砷酸镓和矽锗。而这些所谓的复合半导体可用在特殊的设备上，如必须承受太阳辐射的卫星晶片，以及在非常高频率环境中操作的电信系统晶片。

然而，合成钻石薄片虽然问世多年，纯度却一直是个问题。矽是目前所知纯度最高的元素，高达99.999999999%，而任何纯度少于9个9的元素都不适合制造晶片，而由碳在极端高压下形成的钻石，一直到现在都达不到纯度标准。

英国剑桥大学电子工程教授阿玛拉塔加表示，艾波比集团和戴比尔斯所制造出的钻石薄片，根据实验室的分析显示纯度极高，有可能为半导体科技划下另一道分水岭。

阿玛拉塔加表示，该这项技术突破有很大的潜能，理论上，钻石晶片上的电晶体体积能比矽晶片上最小的体积还小，且因为钻石是最佳的导热体，对于半导体产业来说，将是未来的最佳材料。