应用材料宣布，台积电（TSMC）已验证应用材料所推出具有分耦式电浆氮化（DPN）技术性能的Centura Gate Stack闸极堆栈系统，该系统成功运用于台积电所有65奈米晶体管生产制程。该技术有效协助台积电在增进组件设计速度的同时，达成65奈米等效氧化层厚度(EOT)的缩放比例目标。

台积电先进模块技术研发处资深处长梁孟松博士表示，应用材料的单晶圆闸极堆栈系统，对于台积电先进晶体管制造的产业地位，十分重要。这套具有分耦式电浆氮化（DPN）技术的闸极堆栈系统，有助于缩小晶体管的比例，以及提升氮氧化闸极介电质常数，以迎合65奈米世代生产高性能与低耗电产品时，量产所需的高生产力要求。透过应用材料的硬设备与专业制程技术，结合台积电的整合与制造技术，加速达成此项闸极堆栈技术的执行。

应用材料的闸极堆栈系统在Centura平台操作上，藉由整合DPN技术、Radiance RTP快速升温处理、现场蒸气产生(ISSG)的氧化技术，以及复晶硅沈积制程技术，提供薄膜分界面控制性能。台积电的晶圆厂已开始运用应用材料300mm Centura 闸极堆栈系统，不同于其他的闸极氮氧化技术，应用材料的DPN技术是使用电浆原料来创造低能量的电浆，因而产生精确的氮离子分布控制。