因应当前晶片厂商正在运用微影技术将晶片缩小至3奈米和以下节点，但是导线越细，电阻便会以倍数增加，导致晶片效能降低，并增加耗电量。若放任布线电阻的问题不管，先进电晶体的优势可能会荡然无存。应用材料公司今（30）日发表的新系统产品，则藉由新的电晶体布线工程设计，大幅降低电阻，让影响晶片效能与功率的重大瓶颈迎刃而解。

Endura Ioniq 物理气相沉积系统是应用材料公司针对2D微缩的布线电阻问题所开发的最新突破技术，在高真空环境下将表面处理与PVD和CVD制程整合在同一套系统。

应用材料公司表示，过去制作晶片时必须将布线沉积到介电材料上的蚀刻导孔和沟槽，而传统方法是使用金属叠层进行沉积，以避免金属与介电材料混合的阻障层、可增加附着力的衬垫层、帮助金属填充的晶种层，以及电晶体接点所用的钨或钴和导线所用的铜等导电金属。但由於阻障层与衬垫层的微缩效果不隹，所以当导孔和沟槽缩小时，导电金属可用的空间比例也会降低，而布线越小，电阻就越大。

这款由应用材料发表的的Endura Ioniq PVD系统，则属於该公司整合性材料解决方案（Integrated Materials Solutions）产品之一，可在高真空环境下，将表面处理与物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）制程整合在同一套系统。透过Ioniq PVD系统，晶片厂商可以将使用氮化??制造的高电阻率衬垫层与阻障层，替换成使用PVD沉积的低电阻率钨膜；并结合使用CVD沉积的钨膜，形成纯钨的金属接点，进而解决电阻问题，让2D微缩技术持续应用在3nm和以下的节点。

应用材料公司资深??总裁暨半导体产品事业群总经理帕布·若杰（Prabu Raja）进一步指出：「应用材料公司针对布线电阻问题所开发的最新突破技术，证明创新的材料工程解决方案能够延续2D微缩的发展。创新的Ioniq PVD系统产品解决了影响电晶体效能的重大瓶颈，不仅能提升运作速度，还能降低功率耗损。」随着晶片复杂性与日俱增，在高真空环境中整合多项制程的能力日趋重要，Endura Ioniq PVD系统在布线开创精进，帮助客户达成效能与功耗目标，也已获得全球多家领导大厂采用。