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台积电65奈米制程计划今年底量产
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2005年04月28日 星期四

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晶圆大厂台积电2005年第一场技术研讨会于四月下旬在美国硅谷举行,该公司于会中向IC设计业界介绍该公司Nexsys 65奈米制程技术及服务,首批客户芯片也将于2005年12月产出。该65奈米技术为一SoC平台,能提供高密度、小体积与更低耗电、低成本等竞争优势。

台积电指出,与90奈米制程技术相较,65奈米制程技术标准组件的密度增为两倍;六晶体管存取内存(6TRAM)的组件面积减少一半、不到0.5平方微米;单晶体管存取内存(1TRAM)的组件面积则缩小为65。此外,晶体管闸极氧化层(gate oxide)的厚度亦大幅缩小,能进一步提高晶体管效能。此外与台积电90奈米泛用型(General Purpose)制程技术相较,65奈米泛用型制程技术晶体管速度快上50%,同时待机电力(Standby Power)耗电量也减少20%。

台积电是在去年四月成功使用65奈米制程技术产出SRAM并通过功能验证。随后包含Altera等多家厂商也起始投片试产,现已成功产出多种逻辑与内存芯片并进行进一步的功能验证中。台积电表示接下来该公司会有更多的客户使用此65奈米制程进行设计,并于今年下半年起投片试产。

台积电将于其两座12吋晶圆厂Fab12及Fab14以65奈米制程技术为客户生产芯片,今年十二月将先针对客户需求,提供低耗电量的65奈米Nexsys制程量产服务。而高速(High Performance)及泛用型制程将于明年依序推出;绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator;SOI)以及超高速(Ultra-High Performance)则预计于2007年推出。所有不同产品应用的制程都将同时提供逻辑以及混合信号制程,也可以搭配嵌入式内存制程技术。

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