飞利浦半导体研发科学家在今年国际电机电子工程师学会(IEEE,Institute of Electrical and Electronics Engineers)所举办的国际电子组件会议中(IEDM,International Electron Devices Meeting;美国旧金山,2004年12月13到15日)发表超过17篇关于先进半导体研究发展的论文。这些论文详细介绍了飞利浦与比利时微电子研究中心(IMEC)以及Crolles2 Alliance(由飞利浦与飞斯卡尔半导体、意法半导体创立的合作联盟)所完成的研发成果。而论文中主要涵盖了65奈米以及45奈米节点的CMOS制程发展、90奈米节点RF CMOS的创纪录效能等。而飞利浦的主要研究焦点则在于发展先进CMOS制程，以期能够符合消费性产品降低成本及大量生产的需求。

近年来，像是DVD播放器、数字相机、手机等等需多日常电子产品，之所以能够在价格上不断降低，且效能不断提升，正是半导体产业一直以来，依循摩尔定律的发展预测不断前进的成果。(摩尔定律：在固定面积硅芯片上的晶体管数目，每两年大约可以增加一倍。)从制程上来说，虽然从90奈米转移至65奈米仍可能以与现今类似的技术做到，但要达到国际半导体技术蓝图(ITRI, International Technology Roadmap for Semiconductors)的45奈米甚至32奈米目标，则将会是半导体产业相当的挑战。

另一个新兴半导体科技将发挥效用的领域则是射频(RF)应用。在90奈米节点，CMOS晶体管拥有优异射频效能，得以与硅晶双极解决方案在行动通讯与无线网络的某些领域相抗衡。飞利浦在今年的国际电子组件会议中亦提出了一份论文，特别强调其90奈米RF CMOS制程破纪录的优异效能。同时，也发表了关于新金属发射器SiGe:C HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors)的论文，此发射器将使得低成本的硅基收发器能用于mm-Wave( 30 GHz)的无线应用。