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大陆半导体技术仍落后南韩5~6年
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年06月16日 星期一

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根据南韩新闻网站Digitimes报导,南韩产业研究院日前发布韩国与大陆半导体产业比较分析报告指出,目前大陆半导体技术水准虽达0.18微米制程,但仍落后南韩0.10微米的制程5~6年。

该报导引述南韩产业研究院研究员意见指出,大陆半导体产业发展仍有许多问题,包括具备经营晶圆厂经验的人才不足,加上良率稳定性不足、售后服务与品质良劣等问题,而这些问题预计在短期内应难以获得解决。目前大陆半导体技术以0.25微米制程技术为主,部分为0.18微米制程,而南韩主力记忆体产品则为0.13微米制程,基本上,二国半导体产业要直接交锋竞争,尚有一段时日。

南韩产业研究院的报告指出,若以2002年为基准,大陆晶片设计能力与南韩相较约落后5年左右;大陆的晶片设计技术能力在0.35微米制程左右,与设计0.13微米制程以下产品的南韩业者相较差距尚远。

而对于南韩该如何维持与大陆技术差距的问题,该机构则表示,南韩应透过开发90奈米以下产品,来加强次世代记忆体晶片与系统IC事业的发展;同时并应强化次世代12吋晶圆的量产能力以及提高成本竞争力。

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