三星电子日前宣布，推出名为「Flashbolt」的第三代高频宽记忆体2E（HBM2E）。第三代的产品容量高达16 GB，适合最高性能需求的HPC系统，例如以AI为核心的数据分析与先进的图形系统。

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Flashbolt比前一代8GB HBM2「Aquabolt」容量高两倍，还可以显着提高性能和电源效率，从而显着改善下一代计算系统。透过在缓冲晶片顶部垂直堆叠八层10nm级（1y）16 GB DRAM裸晶，实现了16GB的容量。

新的HBM2E封装以多达4万个TSV微凸点的精确排列进行互连，而每个16GB裸晶均包含5,600多个细微的小孔。

三星的Flashbolt提供了每秒3.2 Gbps的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的频宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，是目前最高的测试数据速率。

三星预计将在今年上半年开始量产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品。