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高科技人才违反国科法将受公诉
行政院颁发多项登陆任职条约

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年07月24日 星期三

浏览人次:【1787】

行政院将在26日审查「国家科技保护法」草案及「台湾地区特定高科技人才赴大陆任职许可办法」草案,另高科技人才赴大陆任职许可办法,决采负面表列精神管制,除涉及政府资助研究计划,国家研究机构及核心技术等必要申请许可外,其余均放行。

行政院秘书长刘世芳日前指出,高科技人才违规赴大陆任职或涉嫌违反国家科技保护法,窃取技术,政府正考虑以公诉罪起诉。只是,纳入公诉罪的范围要多大,还在研订中。游揆24日听取陆委会针对八吋晶圆开放赴大陆投资相关配套措施执行方案办理情形报告,澄清外界对有效管理机制「跳票」的批评。

据了解,经济部等相关单位向游揆证实,台积电近期内即会正式提出赴大陆投资八吋晶圆厂的申请,但会中并未提到联电。据相关官员透露,台积电现今已在南科建立十二吋晶圆厂的基地,且目前已达经济规模数量且连续达六个月以上,应符合申请投资条件。

相关官员表示,凡涉及军事科技、国防机密原则都禁止;核心技术、国家资助的高科技研究计划,国家研究机构的高科技,及民间认为必要管制的技术等人才,都要经过许可才准予赴大陆任职。依据国科会研拟的高科技人才登陆任职许可办法草案,未来技术人才登陆,必须是经核准西进投资厂商才放行,且将由厂商主动报备;管制的科技人才范围,将大幅缩减,由原来五种技术类别缩减为一种,即半导体晶圆厂黄光微影技术的研发工程人员。这类技术人员未来离职一年内要赴大陆任职,须向政府报备,经核准后始能媊往。

關鍵字: 科技法  行政院 
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