据外电报导，由于具备数位相机（DSC）及MMS功能的手机已成流行趋势，手机用记忆体正面临世代交替；长期居主流地位的NOR型快闪记忆体（Flash）及SRAM，已逐渐被NAND型快闪记忆体、类SRAM或低耗能DRAM取代。

NAND型快闪记忆体除了在记忆容量上占优势外，成本低亦为另一有利因素；以NAND型快闪记忆体大厂东芝为例，东芝与以色列的M-System合作研发、以0.13微米制程技术生产的512M NAND型快闪记忆体，所需的生产成本约可压低到以相同制程生产的NOR型产品的三分之一。

但对手机厂商来说，快闪记忆体由NOR型转变成NAND型必须将手机程式做部分更改，对厂商而言是一项多余的负担，是故NAND型快闪记忆体仍难在短期内完全取代NOR型。日本研究机构日经Market Access报告指出， NTT DoCoMo春季新款手机搭配100万画素DSC的505i系列，便已开始采用NAND型快闪记忆体，但预估最快要到2004年以后，NAND型才有可能取代NOR型快闪记忆体，成为手机记忆体的主流。

类SRAM为构造与DDR相似，并兼具SRAM快速存取等特征的非挥发性记忆体，因价格仅约SRAM的20～50％，因而广被手机厂商采用。自2000年第四季起，16M类SRAM开始搭载于手机上， 目前32M类SRAM已成日本手机主流，64M 类SRAM的比重亦逐年增加。

日经Market Access报告指出，在日本已有高达9成以上的手机搭载类SRAM，2003年开始全球手机市场对类SRAM的需求将持续扩增。除类SRAM外，2003年1月出现搭载64M DRAM的手机机种。 DRAM在记忆容量及价格上虽更具优势，然耗电量较高的问题仍难克服，一时之间仍无法对SRAM、类SRAM造成威胁。