工研院与美商应用材料(Applied Material),于周四(10/15)宣布,进行3D IC核心制程的客制化设备合作开发。该开放制程平台将整合3D IC主流技术硅导通孔(TSV)制程流程,缩短集成电路及芯片开发时间,协助半导体厂商迅速地将先进芯片设计导入市场,进而大幅降低初期投资。
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(左至右)工研院与应用材料公司共同合作开发3DIC核心制程,今举行签约典礼,技术处林全能、应用材料Randhir Thakur、工研院李世光、工研院李钟熙院长共同签约及见证。 BigPic:500x3 |
工研院院长李钟熙表示,此次工研院3D IC开发初期,能够吸引应用材料加入联合研发,显示工研院的研究能量受到国际的肯定,以及这个研发具有前瞻及未来性。以往台湾半导体产业设备仅自行开发后端零组件,前端设备多为进口,此次在3D IC开发初期就有设备开发厂商投入,表示在前端设备就能掌握相关制程技术,可以为台湾半导体厂商主导3DIC关键制程,并为半导体产业展开另一波机会。
应用材料资深副总裁暨半导体设备事业群总经理Randhir Thakur表示,与工研院展开合作,将能非常有效地精进3D IC技术,并将之整合到制造端。工研院选择应用材料整套的TSV设备,证明应用材料的整合组装3D IC堆栈技术独步业界。在验证过的系统上执行客户先期研发产品,并据以转变成量产,将指日可待。
工研院电光所副所长洪胜富表示,3D IC是半导体未来10年重要发展动力,各国也多在先期发展阶段。工研院从6年前,率先投入3DIC研发,取得发展优势。去年成立的先进堆栈系统与应用研发联盟(Ad-STAC),是第一个跨产业整合的立体堆栈芯片研发平台,并在经济部工业局的支持下,全力推动技术产业化。也因此,陆续吸引国际设备大厂美商应材、SUSS MicroTec及Semitool等加入3D IC 实验室试量产制程建置,共同发展3D整合技术,提供国际化的开放合作平台。
而工研院与应用材料合作,有助于TSV技术的效能精进,并降低成本,带动国内外3D IC相关产业加入,加速台湾在3D IC自主制程技术开发,先期掌握3D IC制程关键技术,提升台湾半导体产业竞争优势。