账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
宜特叁与制定iNEMI爬行腐蚀白皮书 提出简易验证手法
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2019年09月05日 星期四

浏览人次:【2938】

近年来由於人工智慧 (AI)、大数据、5G、物联网 (IOT) 与边缘运算的广泛应用,让云端资料处理中心硬体设备的可靠度能力越来越受到重视。然而在全球日趋严重的空气污染威胁下,亦影响云端资料处理中心电子设备的使用寿命。为此,宜特叁与制定国际电子生产商联盟 (International Electronics Manufacturing Initiative ; 下称iNEMI )爬行腐蚀白皮书,与国际大厂包括消费型电脑、工业型品牌大厂、伺服器厂商,共研究开发出简易验证手法- iNEMI 硫磺蒸气 (Flower of Sulfur; FoS) 腐蚀试验(叁见图一),协助相关厂商节省将近一半以上之验证时间与经费。

印刷电路的爬行腐蚀
印刷电路的爬行腐蚀

宜特表示,电子产品易受到环境中的腐蚀性气体、水分、污染物、和悬浮微粒的影响,让敏感性电子元件与印刷电路板产生爬行腐蚀 (Creep Corrosion) 的失效现象(叁见图二、图三),严重恐导致设备电气短路故障的风险。因此,在产品出厂前,验证未来产品是否有抵抗爬行腐蚀的能力极为重要。

宜特说明,验证产品腐蚀的传统方式有两种,一为混合流动气体 (Mixed Flowing Gas; MFG)腐蚀试验;二为FoS试验(ASTM B809 FoS)。

MFG试验,其可控制试验叁数,包括温度、湿度、腐蚀性气体的种类、浓度与流速…等等,并可以不断地置换反应器内部的腐蚀性气体。对於实际终端的环境条件,具备较高的模拟能力与试验的应用性,但却也同时造成试验成本昂贵且验证时间较长的问题,并非能所有产业链的客群所接受并采用。

而传统的FoS试验,可控制的试验叁数只包含温度与湿度,叁数较少、架设简易且为单一硫化物腐蚀性气体进行试验的特性,相对於MFG试验,FoS实验成本低、验证时间短,不过却也同时造成试验应用性较低的问题。也就是说要有效验证「爬行腐蚀」(Creep Corrosion)的失效问题,使用传统FoS试验(ASTM B809 FoS)手法,将有验证难度。

宜特表示,为解决此一问题,宜特叁与iNEM爬行腐蚀白皮书的制定,共同剖析造成爬行腐蚀的关键因子,研究开发出 iNEMI 硫磺蒸气 (Flower of Sulfur; FoS) 爬行腐蚀试验,其特点测试手法简便迅速、且符合经济效应,获得许多国际系统大厂青睐。

宜特进一步说明,由别於传统的FoS试验(ASTM B809 FoS),iNEMI FoS爬行腐蚀试验,主要在藉由「湿度控制」、「气体流速」、「导入氯气」、「试验前样品的预处理」这四项叁数的改善来进行爬行腐蚀的有效验证。

宜特指出,宜特可提供各种抗硫化测试的服务,并且结合 ANSI/ISA-S71.04-2013标准在试验过程中评估此加速试验在G2或G3环境腐蚀等级的模拟年限;亦可结合实际终端环境的腐蚀程度并采以客制化的实验设计协助评估产品抗硫化腐蚀的寿命验证服务。

關鍵字: 宜特 
相关新闻
宜特再获USB-IF授权 全面领航USB4、PD 测试
宜特推AI高速讯号解决方案 助力客户通过高规验证
宜特即将启用亚洲最完整的太空环境测试中心
宜特公布7月合并营收逾3亿元 AI为下半年营运增长的核心驱动力
宜特上半年营收新台币21.22亿 积极布局AI验证分析领域
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT8VTGGUSTACUK4
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw