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2010年两岸DRAM产量将超越南韩
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年05月31日 星期四

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台湾和中国的DRAM总产量,将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测,台湾和中国的DRAM厂陆续扩产,相较之下南韩仅有三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix Semiconductor)为主要DRAM生产商,且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存。

就金额上看,2006年南韩的DRAM全球占有率为45%、台湾和中国合计为17%。iSuppli也预测,2008年南韩将占有46%、台湾和中国则占有35%,差距将缩小。而最重要的是,iSuppli估计到了2010年时,台湾和中国的DRAM产量将超越南韩。iSuppli所估计的产量包括了各厂商代工生产的部分,因此台湾的DRAM产量包括尔必达和奇梦达等厂商所代工生产的DRAM都计算在内。

iSuppli也预测,受到DRAM价格下滑的影响,台湾和中国的DRAM产量将增加,而三星和海力士则将把DRAM的产能转向生产NAND闪存。根据估计,包括这两家公司在内,这些DRAM厂商的毛利将在2007年6~7月降至谷底。至于NAND闪存的价格,在今年1~3月已经触底,目前正缓慢回升当中。

關鍵字: DRAM  三星电子  海力士半导体  动态随机存取内存  闪存 
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