据工商时报消息，力晶半导体为扩大产出抢占市场占有率，已举行第2座12吋厂动工典礼，同时力晶亦公布该公司第一座12厂采用0.13微米制程比重已达90％，九月营收创下27亿1000万元历史新高纪录。

由于力晶12吋厂产出的DRAM单位成本，已经低于8吋厂中同制程产出，在12吋厂经济效应开始发酵之际，力晶决定趁胜追击再兴建第2座12吋厂。力晶第2座12吋厂动工典礼由董事长黄崇仁主持，预计在2004下半年完工装机，2005年进入量产，若加计第1座12厂在2004年后将开出30万片年产能来计算，力晶届时将成为国内最大DRAM厂。

力晶今年发行二次海外可转换公司债（ECB），共募得2亿3200万美元资金，除了将主流制程由0.15微米推进至0.13微米，也全力扩充12吋厂产能。