据经济日报报导，由于DRAM业者筹资管道不顺，三星、美光及英飞凌等大厂转进新世代制程脚步放缓，国内四大DRAM厂0.11微米制程转换也延后，预计要到第四季才能小量生产。业者预期，今年全球DRAM产能增加幅度，可能低于50％。

茂德营业处长林育中表示，过去DRAM厂的制程转换周期，大约是四到五季完成一个世代，不过从0.14微米开始，有延后的现象，预计0.11微米，可能要六季，也就是一年半才会完成制程转换。林育中指出，全球DRAM厂中，三星最为积极，内部评估第四季有七成产能出自0.11微米，其余如美光、英飞凌及南科等厂商，都要到明年才能全数转换，因此整体评估，全球DRAM产能增加幅度，大约在50％左右。

根据转换时程，华邦电、南亚科技及茂德技术同样来自英飞凌，三家公司预计今年第四季转进0.11微米，正式进入量产，不过良率趋于稳定，可能延至明年第一季。力晶采用堆叠式（Stack）架构，进度与上述三大厂商不同，预计下半年微缩至0.12微米，至于技转自Elpida的0.1微米制程，则要到明年第二季才能量产，进度稍微落后​​。

华邦电总经理章青驹表示，该公司0.11微米制程要到下半年才会正式销货，按照合约规定，全数售予合作伙伴英飞凌。南亚科技执行副总经理高启全则表示，以现况分析，转进0.11微米的重要性高于12吋晶圆厂，不过，设备商已停止研发用于8吋晶圆厂的90奈米制程，因此，12吋厂将维系长期发展的竞争力。