据外电报导，南韩半导体业者三星电子与Hynix，2003年将透过制程技术与设备的升级，来增加产量及强化成本竞争力。三星电子计画将90奈米技术应用于12吋生产线，Hynix也将在重整公司之后，准备投入12吋厂计画。

据韩国经济新闻报导，三星电子计划在2003上半年完成12吋晶圆厂设备投资，月产能也将自将由2003年第三季开始扩增至2万片；该公司并决定将90奈米制程技术应用于量产512M与1G DRAM的12吋生产线，以同时生产快闪记忆体（Flash）与DRAM。

三星并计划在2003年藉由良率的提升，将营业利益率由10％增加至15％，DRAM全球市占率则由2002年30％扩大至32～35％。尤其，三星拟将市场规模愈趋扩大的NAND型Flash生产比重由20％扩增至25～30％。

Hynix则决定出售Hydis与ImageQuest股权，以所得5,000多亿韩元（约4亿多美元）的半数以上来投资设备，将原本自0.18微米升级至0.15微米为主的生产线，重整为自0.15微米升级至0.13微米为主，并推动12吋晶圆厂的投资计画。 Hynix还计划扩增DDR生产比重至70％以上，并与欧洲业者进行快闪记忆体事业联盟，以稳定获利。