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國際會議探討CMOS變異性對半導體產業之衝擊
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍 報導】   2007年09月27日 星期四

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代表英國及愛爾蘭半導體產業之貿易協會-國家微電子學會(NMI),將與英國nanoCMOS專案單位共同舉辦歐洲第一屆針對CMOS變異性主題之國際會議。此會議將於倫敦醫師皇家學院於10月23日舉行,其將結合代表整個半導體供應鏈的全球領導級公司及主要研究機構,共同分析變異性對半導體設計的深遠影響,並促進雙方合作。

此會議將由Dr. Asenov以"下世代CMOS技術的變異性及其對設計之衝擊"進行開場演說,之後並將進行四場主要議程:

議程1:設計概念(IMEC、University of Manchester及STARC);議程2:設計導入及工具(Mentor Graphics、Synopsys及Cadence);議程3:半導體技術(IBM、Freescale及台積電);議程4:IP研發(ARM),隨後將進行主題為“Integration and Collaboration in the Era of Design for Variability(DfV)”之小組研討。

除主要會議外,與會代表將可參加兩場由Asenov博士所舉辦的輔助活動,以分享包含元件、電路及系統設計之多學科英國研究計畫之研究重點。其中,"迎接nano-CMOS 電子之材料挑戰" 議題將於10月22日進行探討,其將總結材料塑造和電子元件模擬之研究。而於10月24日,英國eScience試驗計劃之"迎接nano-CMOS電子之設計挑戰"則將提出針對致能TCAD和ECD元件模擬的多層次及柵格研發成果。相關資訊或報名洽詢,請參閱:www.nmi.org.uk/events/DFM_23102007.htm或email dfm@nmi.org.uk

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