飛利浦半導體研發科學家在今年國際電機電子工程師學會(IEEE,Institute of Electrical and Electronics Engineers)所舉辦的國際電子元件會議中(IEDM,International Electron Devices Meeting;美國舊金山,2004年12月13到15日)發表超過17篇關於先進半導體研究發展的論文。這些論文詳細介紹了飛利浦與比利時微電子研究中心(IMEC)以及Crolles2 Alliance(由飛利浦與飛斯卡爾半導體、意法半導體創立的合作聯盟)所完成的研發成果。而論文中主要涵蓋了65奈米以及45奈米節點的CMOS製程發展、90奈米節點RF CMOS的創紀錄效能等。而飛利浦的主要研究焦點則在於發展先進CMOS製程，以期能夠符合消費性產品降低成本及大量生產的需求。

近年來，像是DVD播放機、數位相機、手機等等需多日常電子產品，之所以能夠在價格上不斷降低，且效能不斷提升，正是半導體產業一直以來，依循摩爾定律的發展預測不斷前進的成果。(摩爾定律：在固定面積矽晶片上的電晶體數目，每兩年大約可以增加一倍。)從製程上來說，雖然從90奈米轉移至65奈米仍可能以與現今類似的技術做到，但要達到國際半導體技術藍圖(ITRI, International Technology Roadmap for Semiconductors)的45奈米甚至32奈米目標，則將會是半導體產業相當的挑戰。

另一個新興半導體科技將發揮效用的領域則是射頻(RF)應用。在90奈米節點，CMOS電晶體擁有優異射頻效能，得以與矽晶雙極解決方案在行動通訊與無線網路的某些領域相抗衡。飛利浦在今年的國際電子元件會議中亦提出了一份論文，特別強調其90奈米RF CMOS製程破紀錄的優異效能。同時，也發表了關於新金屬發射器SiGe:C HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors)的論文，此發射器將使得低成本的矽基收發器能用於mm-Wave(> 30 GHz)的無線應用。