在蘋果iPad的助攻以及各類Tablets的強力推波助瀾下,市調機構iSuppli預估,到2011年時,NAND快閃記憶體可鞏固平板電腦市場,成長幅度將近3倍!
預估到2011年,全球平板電腦內NAND快閃記憶體的總容量,可達17億GB左右,今年全球平板電腦內的NAND Flash總容量大約是4.28億GB,成長幅度將達296.1%!這樣的大幅成長可望繼續下去,預計到2014年時,全球平板電腦內NAND Flash總容量可超過88億GB以上!
由於iPad帶動所謂media tablets的風潮,使用者對於儲存多媒體視訊資料的需求越來越殷切。iPad採用NAND Flash儲存多媒體視訊資料,已經對於各家Tablets形成帶動效應。iSuppli預估今年每台平板電腦內的NAND Flash儲存容量,平均約在28GB左右,到2014年時,每一台平板電腦內的NAND Flash儲存容量可望大幅成長到65GB。
正因為NAND Flash的供貨需求將會不斷提昇,記憶體的可擴充性、價格和抹除寫入效能,都是值得觀察的重點。
一般而言,Flash的工作原理是以電子寫入的方式紀錄資料(Program),並以電子移除的方式抹除資料(Erase)。快閃記憶體兩大架構之一的NAND Flash,需經過將特定位元資料抹除後才可寫入(program),這類似DRAM儲存裝置的bit alter功能。
由Toshiba研發出屬於堆疊式架構的NAND Flash,讀取速度特別是在隨機存取速度上較慢,不過抹除寫入的時間較快,成本較低,資料保全層級需求較低,在大區塊的寫入效能較佔優勢,可應用於大量影音資料(data)的獨立記憶儲存裝置。不過NAND Flash裝置重新抹除寫入時,就會輕微受損產生壞塊(Bad Block),因此NAND Flash常以控制器管理壞塊,出現壞塊時控制器便將資料轉移到預定其他儲存區間。
因此在技術趨勢上,NAND Flash的製程將會更加微型化,進入到20幾奈米、甚至是到10幾奈米階段。另外,為有效管理壞塊,並提昇NAND Flash記憶體可靠度和抹除寫入的效能,記憶體控制器的bit數將會不斷增加,並加強錯誤校正(ECC)的能力。
目前三星已經推出7吋的GALAXY Tab之外,戴爾也預計在明年推出第二款7吋平板電腦,宏碁也預計在今年底或明年第1季推5吋平板電腦,惠普預料也不會缺席。而摩托羅拉、諾基亞、宏達電、LG等手機大廠,也將在明年陸續推出類似iPad的平板電腦產品。市場對於NAND Flash的需求量,看來只會多不會少!