據外電報導，Intel電路研究實驗室主任Shekhar Y. Borkar於北京舉辦的微處理器論壇中指出，在微處理器發展到奈米技術時，漏電流問題將成為技術提升的過程當中亟需解決的一大問題。

大陸與會人士亦表示認同並指出，由於電晶體尺寸減小，同樣面積將會聚集更多的數量，但整體柵氧化物厚度減少，電晶體的閾值電壓也相對減少，這就導致了漏電流，而隨著技術進一步提升，漏電也將消耗極大功率。

Borkar表示，目前Intel已開發45奈米技術，而對於現階段這樣的技術是目前柵氧化層所能達到的極限。而對此Intel的主要研究方向，就是如何能夠在供電電壓下降的情況中儘量減少漏電流，從大體上達到平衡；然而以目前的技術，幾乎無法達成以上目標，英特爾最新的研發成果也僅是20奈米晶片，要商業化還需一段時間 。

大陸半導體專家指出，在大批量產的IC產品中，電壓每下降1％，功率消耗將降低3％左右，在此一過程中電壓的收斂比較困難，而目前大陸國內外相關廠商、學術界已展開這方面的研究，其主要方向是在降低電壓、降低功耗的同時，時間不會有所上升。