根據iThome報導，英特爾（Intel）在VLSI電路暨技術研討會（VLSI Symposium on Technology and Circuits）中宣布正在研發更省電及更有效率的立體電晶體架構，預計在2009年發表。

英特爾表示，該公司已經在新的電晶體中整合了high-k絕緣體、金屬柵電極（metal gate electrode），以及張力矽晶（strained silicon），2009年將採用32奈米製程，屆時這款立體電晶體將比現有的65奈米製程的平面電晶體增加45%的速度，或是減少35%的電力耗損。

英特爾表示，該款立體電晶體架構將用在未來的微處理器上，而65奈米技術及45奈米技術都將沿用舊架構，32奈米元件預計在2009年量產，而22奈米元件則計畫在2011年量產。

立體電晶體架構比傳統的複雜，而且製造難度也較高，英特爾並未說明採用立體電晶體是否會對價格產生影響，不過立體電晶體的關鍵在於蝕刻過程，而非設備，暗示英特爾不需為立體電晶體再進行設備投資。