全球功率半導體及管理方案廠商----國際整流器公司（IR），宣布其創新的DirectFET功率封裝技術，能使功率系統符合英特爾最新64位元處理器Itanium 2的功率管理要求。該公司的IRF6601及IRF6602 HEXFET功率MOSFET均採用DirectFET封裝，能夠在最精簡的面積上，以最少量元件滿足Itanium 2的功率規格。

DirectFET封裝採用獨特設計，可從封裝頂部散熱，毋須經由熱飽和印刷電路板。這種專利設計可大大提升功率MOSFET的載電效能，以同業內最高效率的途徑滿足Itanium處理器的功率要求。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「英特爾Itanium 2晶片的問世，為功率系統設計人員帶來了極大挑戰。由於這種應用系統的輸出電壓低，功率水準高，使電流到達前所未有的水準。我們的DirectFET MOSFET元件可提供獨特的解決方案，應付Itanium處理器電源的熱量管理及設計複雜性問題。」

當輸出電壓低至1.3V，電流可達100A峰值，瞬變效應也較高。當處理器從省電的休眠模式恢復運作之際，這種情況特別常見。電流越大，產生的熱量亦越高，設計人員必須以最具效率的方法散熱。

全新DirectFET封裝捨棄了SO-8一類傳統表面貼裝封裝的導線架鉛外殼及塑模設計。矽MOSFET晶片頂部的金屬外殼可作散熱之用，使電路板的熱量從元件頂部流散，同時有助處理器本身散熱。

若把一對IRF6601和IRF6602 DirectFET MOSFET元件設於多相同步降壓轉換器，可在1.3V電壓下提供每相30A的電流；並可於3.8 x 1.25 (吋) 面積上，在500kHz下展現92%的操作效率。

相比於採用傳統SO-8元件的電路，DirectFET MOSFET能將傳統SO-8 MOSFET元件數減少60%，同時可簡化電路佈置，以減低電路的寄生效應。此外，DirectFET MOSFET能將傳統電路的冷卻設計化繁為簡，提升熱量管理效率。