據Digitimes報導，因IBM微電子在0.13微米以下製程之低電介質（Low K）材料Silk良率穩定度偏低，其晶圓代工客戶包括智霖（Xilinx）、NVIDIA等全球前10大設計公司為避免風險，於第四季再度提高對台晶圓代工廠投片比重，其中Xilinx在聯電12吋晶圓廠0.13微米銅導線製程良率超過95％，NVIDIA近期也開始將GeForce FX5700（NV36）在台積電進行製程研發，且不排除提前導入量產。

該報導引述IC設計公司與台積電、聯電製程研發部門說法指出，IBM在製程藍圖上，0.13微米與90奈米的Low K絕緣材料仍以Dow Chemical旋塗有機Silk薄膜為主，預計65奈米以下才會開始採用化學氣相沉積（CVD）材料，現階段IC設計公司雖數度建議IBM晶圓廠在0.13微米製程開始採用CVD材質，不過IBM晶圓廠短期仍未有改變絕緣材質規劃。而為避免風險，IBM部份客戶已轉向台灣代工廠投片。

目前Xilinx在聯電投片主力製程已經陸續從0.18微米提升到0.15微米、0.13微米，現階段0.13微米製程FPGA產品線全數在聯電投片，90奈米亦超過98％在聯電下單，據悉Xilinx仍將維持在IBM晶圓廠試產動作，不過在聯電產能無法充分支應前，Xilinx並不考慮在IBM晶圓廠大量投片。

至於首款在IBM晶圓廠投片的NVIDIA NV36繪圖晶片在11月量產，不過，近期台積電製程研發小組亦展開該產品線開發，晶圓廠內部指出，原先NVIDIA即規劃先以IBM晶圓廠設計開發，但在台積電在0.13微米以下量產良率高於對手考量下，並規劃以12吋廠量產該晶片組，NVIDIA並不排除提前在台積電展開量產NV36進度。