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Hynix成功開發0.10微米製程DDR
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2002年10月30日 星期三

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據外電報導,韓國半導體業者Hynix日前宣佈,該公司已成功以0.10微米製程技術,開發出512M的DDR SDRAM產品。

韓國經濟新聞報導指出,Hynix繼由0.18微米升級至0.15微米製程的“Blue Chip”計畫,與自0.15微米升級至0.13微米製程的“Prime Chip”專案後,再度導入使技術升級的“Golden Chip”專案,開發出0.10微米製程產品。

而Hynix強調,該公司的技術升級皆利用原有設備,不僅減少50%左右的投資成本,“Golden Chip”晶粒產量亦比“Prime Chip”專案增加了40%以上。Hynix計劃在2002年底生產512M DDR後,再於2003上半年導入此技術,以量產256M DDR與1G DDR產品。

Hynix表示DDR產品逐漸成為市場主流,而該公司將繼續透過技術升級,以技術力與成本競爭力為基礎,確保該公司的全球市佔率。

關鍵字: Hynix(海力士動態隨機存取記憶體 
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