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英特爾推出90奈米無線快閃記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年02月23日 星期一

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工商時報報導,英特爾於美國舊金山舉行的英特爾開發者論壇(IDF)中,發表全球第一套採用90奈米製程、NOR規格的英特爾無線快閃記憶體(Intel Wireless Flash Memory),該產品是英特爾利用第9世代的技術生產,晶片尺寸大小比前一世代縮小約50%,有助於降低成本並讓英特爾的產能增加2倍。將以此打入高效能手機應用晶片市場。

英特爾快閃產品事業群副總裁Tom Lacey亦表示,英特爾無線快閃記憶體是目前無線應用晶片市場中效能最高的解決方案,新產品結合了四項創新技術,包括1.8伏特的低運作電壓、在元件中直接執行程式、強化生產線上燒錄速度(enhanced factory programming)、及在單一晶片中儲存程式與資料(dual code and data storage in one chip)的能力。

英特爾亦指出,新款快閃記憶體晶片規格與過去的解決方案通用,客戶可以輕易進行整合與升級,並讓元件能在更小的空間中裝入更多的記憶體,如可在8mm×11mm晶片封裝規格中放入高達1 Gb的高密度快閃記憶體。英特爾將在4月推出64 Mb容量樣品,第3季開始量產出貨,初期每萬顆的單顆採購價格為10.26美元。

關鍵字: Flash  英特爾(Intel, INTEL其他記憶元件 
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