網站Silicon Strategies引述市調機構iSuppli報告指出，過去在不同領域各擅勝場的NAND型與NOR型快閃記憶體（Flash），將隨著手機發展愈趨先進而在手機市場上正面遭遇競爭，而NOR型晶片的市場地位將遭到NAND型的挑戰。但iSuppli亦認為，在較高階的手機應用市場，將會採取同時使用NAND型和NOR型Flash的做法。

該報導指出，現階段Flash市場分為兩大陣營，一為由英特爾（Intel）、Spansion為首，以NOR型Flash結合SRAM或PSRAM的解決方案供應商；另一派則為以三星（Samsung）、東芝（Toshiba）為首，主打NAND型Flash結合SDRAM的解決方案供應商。幕欠今手機多以NOR型Flash儲存程式碼，並由SRAM或PSRAM擔任緩衝工作記憶體。

但當手機技術推進到2.5G或3G時，新一代手機將不僅以通訊為主，尚可能支援MP3播放器、PDA、數位相機等功能，在數據執行、儲存需求雙雙提升的情況下，手機對記憶體的需求亦有改變，屆時NAND型Flash在手機市場，反而會變得相當吃香，相較之下，以手機為殺手級應用領域的NOR型Flash，自然比較吃虧。

但iSuppli仍預測，NAND型和NOR型晶片未來並不會有任何一方寡佔市場，因就成本和效能考量，NAND型和NOR型各有優勢。NAND型Flash成本較為低廉，就功能來看，兼具數據和程式碼儲存的功能，惟數據轉換至SDRAM的速度有延遲（delay）的狀況，且能源消耗較多，此為現NAND型Flash在手機市場較不受青睞的原因。