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Hynix、ST在中國合資記憶體製造廠舉行開業典禮
 

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠 報導】   2006年10月11日 星期三

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意法半導體和海力士半導體正式為在中國江蘇省無錫市合資建立的記憶體前端製造廠舉行開業典禮。中國中央及地方政府的高階官員皆出席了此盛大的典禮。將負責製造NAND快閃記憶體和DRAM記憶體產品。合作的雙方將獲得大規模量產所帶來的經濟效益,並能更優先地進入快速成長的中國市場,以及展現雙方在製造技術和產品開發上互補的優勢。無錫晶圓製造廠將加速意法半導體在NAND快閃記憶體市場的成長,同時還將為嵌入式系統廠商提供能夠與快閃記憶體堆疊在一起的高功能且具成本競爭力的DRAM晶片。

新工廠還有助於擴大海力士的12吋晶圓產能,加強其在全球成長最快的中國半導體市場上的領先地位。海力士DRAM晶片目前在中國的銷售量排名第一,根據最新的iSuppli所提供的資料, 市佔率大約為47%。無錫的晶圓廠完工後,除了在美國Eugene,Oregon 的晶圓廠外,海力士又增加了一個全球性的製造據點。

兩家公司於2005年4月為此新工廠舉行奠基儀式,工廠占地面積550,000平方公尺,無塵室的面積為20,000平方公尺,8吋和12吋生產線分別於2006年7月和10月開始量產。目前製造DRAM的生產線,8吋是採用90nm及110nm的製程,12吋則採用80nm製程。 在明年中,除了現有的DRAM生產線,也將採用先進的製程開始生產NAND快閃記憶體。目前8吋晶圓月產能預計可達50,000片,12吋晶圓月產能則為18,000片。產品和記憶體容量的數量比例將根據市場情況來調配。

這個合資晶圓廠的總投資額為20億美元,意法半導體與海力士的股本比分別為1/3與 2/3,中國本地金融機構和意法半導體還提供了一 個聯貸計畫。該合資公司雇用了大約2000名員工,絕大多數是當地的勞工。從無錫到上海大概是兩個小時的車程,工廠附近能提供大量且技術熟練的勞動力及具後續擴展空間的完善基礎建設。

關鍵字: DRAM  義法半導體(ST::半導體Hynix(海力士動態隨機存取記憶體 
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