據外電報導，瑞典艾波比集團（ABB Group）和英國戴比爾斯工業鑽石公司（DeBeers Industrial），日前共同發表了利用調整後的化學氣相沈積法（CVD），製造高純度鑽石薄片的最新技術。晶片製造商已經可以使用CVD來壓縮比頭髮切面還薄的矽和二氧化矽薄片。

據報導，鑽石在理論上是許多種微型電路的理想材料，因為其結合了某些較罕見的半導體所需元素特性，如亞砷酸鎵和矽鍺。而這些所謂的複合半導體可用在特殊的設備上，如必須承受太陽輻射的衛星晶片，以及在非常高頻率環境中操作的電信系統晶片。

然而，合成鑽石薄片雖然問世多年，純度卻一直是個問題。矽是目前所知純度最高的元素，高達99.999999999%，而任何純度少於9個9的元素都不適合製造晶片，而由碳在極端高壓下形成的鑽石，一直到現在都達不到純度標準。

英國劍橋大學電子工程教授阿瑪拉塔加表示，艾波比集團和戴比爾斯所製造出的鑽石薄片，根據實驗室的分析顯示純度極高，有可能為半導體科技劃下另一道分水嶺。

阿瑪拉塔加表示，該這項技術突破有很大的潛能，理論上，鑽石晶片上的電晶體體積能比矽晶片上最小的體積還小，且因為鑽石是最佳的導熱體，對於半導體產業來說，將是未來的最佳材料。