科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈，推出可協助客戶提高記憶體晶片密度的全新解決方案，以滿足人工智慧和機器學習等應用的需求。透過導入晶背沉積用的VECTOR DT以及晶背和晶邊薄膜去除用的EOS GS濕式蝕刻系統，科林研發進一步擴展了其應力管理產品組合。

雖然高深寬比沉積和蝕刻是3D NAND微縮的關鍵促成因素，但隨著層數的持續增加，要控制由於薄膜堆疊累積應力所造成的晶圓曲度已成為一重大挑戰。由於變差的蝕刻景深、重疊效能和結構扭曲，這類由應力引起的晶圓變形已對晶圓良率帶來顯著影響。為了提高整體良率，需要在整個製造過程中的各個步驟中仔細管理晶圓、晶粒和特徵級應力，將有可能免除由於這些應力特性而需導入其他的效能增強製程步驟。

VECTOR DT系統是專為控制3D NAND製造的晶圓曲度所開發的成本效益解決方案，它是科林研發電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）產品系列的最新成員。VECTOR DT透過在晶圓背面沉積一層可調節的反應力(counter-stress)薄膜，無需接觸晶圓正面便能為晶圓形狀管理提供了單一步驟的解決方案，因此可實現更佳的蝕刻結果、減少彎曲引起的失效，並整合高效能但高應力的薄膜。自首次推出以來，隨著客戶的廣泛採用，VECTOR DT安裝數量已繼續成長，以支援客戶朝超過96層的3D NAND結構邁進。

除了沉積反應力薄膜之外，科林研發還提供了可以去除晶背薄膜的靈活性，使客戶能在3D NAND製造流程中調整晶圓應力。透過以業界領先的濕式蝕刻均勻度來去除晶背和晶邊薄膜，科林研發的EOS GS濕蝕刻產品可與VECTOR DT互補，並同時完全保護晶圓的正面。作為全面的晶圓曲度管理解決方案的一部分，科林研發的EOS GS也已被全球各地的記憶體製造商採用。

科林研發沉積事業處資深副總裁暨總經理Sesha Varadarajan表示：「隨著我們的客戶持續大幅增加記憶體單元層的數量，累積應力和晶圓曲度將超過蝕刻機台的極限。把應力引起的變形降至最低，對於實現期望的良率和每位元成本的目標至關重要。藉由VECTOR DT和EOS GS系統的推出，我們正擴展全晶圓應力管理解決方案組合，致力於協助客戶達成其垂直微縮的技術藍圖。」