近日工研院電子所舉辦第一屆矽鍺研討會，會中來自國內外等學者專家，針對矽鍺技術現況提出論文發表。工研院電子所所長徐爵民表示，進入奈米階段，由於製程、元件特性等物理限制，半導體業者皆尋思突破瓶頸的方法；而矽鍺與矽晶片製程相容，可利用矽鍺與矽之間的異質介面、晶格不匹配等特性，以及磊晶技術的突破，目前在多項電子元件均有顯著的突破發展。

根據工研院資料顯示，自1998年矽鍺IBM宣布商業化量產矽鍺晶片後，現階段雖然種類不多量亦少，IC Insights預估釸鍺 IC之市場可由2000年的120百萬美元，快速成長至2005年的2100百萬美元。

矽鍺技術被視為半導體產業另一項革命，由於矽鍺技術具優異的高頻特性，易與CMOS整合成BiCMOS，是最佳射頻晶片材料的選擇。釸鍺最大的優勢，在於與其他矽製程之IC擁有高度的整合性，使銘鍺RF IC可與Baseband IC結合，進而達到降低成本、縮小體積的需求。矽鍺更可涵蓋到更高頻的單晶化微波電路、高速類比及數位混合式IC上，應用範圍較矽更廣範。