目前市場上許多SSD的實體商品都沒有標示價格

原因是真的價格都還太高，那種價格換算成傳統硬碟，

可能可以買四五倍以上的容量吧...

期待記憶體廠商大量生產後，能快速壓低價格..

快閃SSD有朝一日會成為低階技術（容易進入）中的超級明星（賺錢產品）

快閃SSD是低階技術還是超級明星？

最近，記憶體界流傳著許多關於固態磁碟(SSD)的說法，說它們能夠極大地加快計算環境的速度。但有一件事很少被人提到，那就是不同固態技術之間的差別。SSD 中使用兩種基本的記憶體種類：DRAM 和快閃記憶體（flash memory）。電腦界的一般看法是，只有DRAM才具備企業應用的強大性能。這種意見對快閃記憶體持不太信賴的態度。其實兩種不同的技術各有優勢。
速度
眾所周知，快閃記憶體的寫入速度比 DRAM 慢得多。速度是否是使用 SSD 的主要目的呢？答案是肯定的。然而，籠統地說快閃記憶體“慢於 DRAM”則過於輕率。首先，從快閃記憶體讀取資料的速度與 DRAM 的速度相當。其次，較好的快閃記憶體 SSD 製造商都在固態磁碟中整合了一個 DRAM 緩衝記憶體，以提高寫入速度。更好的固態磁碟製造商還有各種演算法，可以將從緩衝記憶體中刷新資料的工作放在後臺完成，而不會影響效性。
各種技術的典型存取時間分別為：DRAM SSD：10-50μs，快閃記憶體 SSD：35-100μs，旋轉式硬碟：5000-10000μs（5-10ms）。從圖中我們可以看到：DRAM 的 SSD 確實要比快閃記憶體 SSD 快，大約要快 3 倍。但是，我們要問一個問題：“這種差異很明顯嗎？”考慮到每種 SSD 技術都比旋轉式硬碟快很多，答案或許是否定的。也許對多數IT環境來說，下面這些差異更為重要。

壽命/使用期限
與 DRAM 不同的是，快閃記憶體晶片的使用壽命是有限的。此外，不同的快閃記憶體晶片在開始出現錯誤前的寫入次數也是不同的。一般快閃記憶體晶片的寫入次數為30萬次，現在最好的快閃記憶體晶片寫入次數為每一區塊1百萬次（每個晶片有8千個區塊）。雖然快閃記憶體晶片有固定的寫入次數，但並不意味著一旦寫入次數達到這個閾值，晶片就會自毀。實際上，當一個快閃記憶體晶片達到 1 百萬次擦除/寫入次數的閾值時，只有0.02%會成為壞的區塊。較好的 SSD 廠家採用兩種方式來提高驅動器的壽命。

首先，使用一種“均衡“演算法。這一演算法監控每一個區塊的寫入次數。它可以極大地提高驅動器的壽命。更好的廠家還有“磨損等級”(wear-leveling)演算法，可以對資料寫入進行智慧平衡，既防止區塊磨損的惡化，也防止對磁碟的過度使用。當某個特定區塊的寫入次數超過某個百分比閾值時，SSD 將此區塊中的資料與另一個呈現“唯讀”特性的區塊進行交換（這種操作在後臺進行，不會造成性能下降）。其次，如果出現壞區塊，它們會像旋轉式硬碟一樣被映射到其他位置。在每天寫入千兆位元組資料的應用下，每個快閃記憶體 SSD 應該能維持幾百年的壽命。如果它帶有 DRAM 緩衝記憶體，則壽命會更長。

(來源:EDN)

我去訪問後瞭解到SSD的技術優勢，在於SSD沒有旋轉磁碟，也沒有必須要在磁碟上來回移動以找出檔案的讀寫磁頭臂，所以能夠擺脫傳統硬碟磁頭毀損的故障問題。因此，SSD作業時無須像傳統硬碟一般，以磁頭臂來回尋找存入不同磁區的資料、以及磁碟旋轉就位以對齊磁頭臂後方的所需磁區的機械作業，避免了佔總傳輸時間95％的機械性延誤。

SSD比起傳統硬碟，可省下超過50％的電力。相較於在運轉啟用期間需要消耗1.9瓦的標準硬碟，2.5吋SSD在運轉啟用時只消耗1.0瓦、1.8吋僅為0.5瓦，閒置時2.5吋則可低至0.4瓦、1.8吋為0.2瓦。此外，SSD無須馬達、承軸或旋轉頭裝置，可確保低功耗與高散熱量。SSD所能承受的操作衝擊耐受度高達1300Gs，是機械硬碟評等的2倍，比起標準機械硬碟來說，SSD預測能降低故障率達3.5倍。

下面有則新聞提供給大家作參考：

  2007-06-19╱工商時報╱第A10版╱科技焦點╱涂志豪

日本NAND快閃記憶體大廠東芝半導體在「2007 Symposium on VLSI Circuits」國際半導體會議中，正式提出七○奈米單晶元四位元（4bit per cell）的多值化（MLC）技術，並成功試產出十六Gb高容量的NAND單顆晶片。市場分析師認為，全球NAND供應商應可在明年中旬前，以七○奈米以下的單晶元四位元多值化技術量產新晶片，可有效降低NAND每十億位元組（GB）的單位售價，加快NAND固態硬碟（SSD）躍居筆記型電腦最重要儲存媒介。

　　蘋果公司內建八GB容量NAND晶片的iPhone新款手機即將在月底上市，以及十GB以上高容量新款iPOD產品亦將在第三季下旬開始銷售，蘋果已擴大對全球主要NAND供應商採購晶片。蘋果此舉讓NAND價格止跌反彈，現在主流八Gb NAND現貨價及合約價已回升至七美元以上，下半年雖然NAND大廠將DRAM產能回轉擴大投片，不過因需求面趨於穩定，業內多預估價格雖不會大漲，但也不至於再出現大跌走勢。

　　不過對三星、東芝、海力士、IM Flash等大廠來說，下半年持續擴大NAND產能的目的，卻已不再僅針對蘋果公司需求進行佈局，各大廠已將佈局重點鎖定在下一波強大市場驅動力，即應用在筆記型電腦上的NAND固態硬碟（SSD）市場。

　　對筆記型電腦廠商來說，現在部份機種雖已陸續採用SSD，不過考量到SSD與傳統硬碟間價差仍大，至年底為止，約九成電腦仍將內建傳統硬碟。所以為了有效降低NAND的每GB價格，三星及東芝等大廠均加速MLC技術的導入，如東芝以七○奈米成功試產單晶元四位元晶片，單顆晶片容量已達十六Gb。

　　市場分析師則預估，若現在單晶元單位元的單值化（SLC）晶片容量，若可順利推進至十六Gb，則年底前六十四Gb的MLC晶片要順利產出將沒有任何問題，若再採用最新的三Ｄ直通矽晶穿孔（3D-TSV）堆疊封裝技術，業者將可在明年底前量產供貨一○○GB以上的高容量SSD產品。

　　根據美商新帝（SanDisk）預估，至二○一○年為止，全球將三千二百萬台的筆記型電腦將內建SSD，市場滲透率將達二○％，屆時整個市場需求量將達一兆三千億顆約當百萬位元組（MB），等於一一％的NAND產出將應用在SSD上。新帝也預估一○年時SSD市場規格則超過三十億美元。

目前可能會先以混合式硬碟，也就是快閃記憶體合傳統硬碟整合的方式先行進入市場，要看到250G純Flash的硬碟，目前有點天方夜譚....