日本NEC基礎研究所去年開發出閘極寬度僅8奈米的全球最小電晶體，因此理論上應可製造出10兆位元(Tera bit)的記憶體，相當於1000萬份報紙的資訊量，接下來的挑戰目標是5奈米。

在電晶體內，電子由源極流向洩極，途中的閘極會控制電子流。閘極愈窄，通過的電波愈難控制。如果能研究出閘極到多窄的程度會無法控制電子流，應該就能知道矽半導體的極限。

位於茨城縣筑波市的NEC基礎研究所認為在常溫下，5奈米是控制電子流的極限。製程技術使用的電子束直徑為5奈米，理論上現在的方法應該能開發出閘極寬度為5奈米的電晶體。