新思科技16日宣佈，NEC微電子股份有限公司己經將新思科技的Star－RCXT整合至其九十奈米、CB－90的設計流程當中。 Star－RCXT擁有業界內第一個支援先進銅製程的功能，它使得NEC微電子在從事九十奈米製程的設計時，能夠滿足時序與訊號完整性所需，而達到簽程精確度的目標．Star－RCXT是新思科技Galaxy設計平台中一項主要的設計工具，它為廣大的製程技術與設計方式提供晶片建造以及具備簽程精確度的實體電路汲取功能．

新思科技表示，NEC微電子的CB－90 ASIC設計平台採用最先進的大型系統半導體積體電路製程技術，支援的時脈速率高達十億赫茲（1 GHz），且可以容納高達一億個可用邏輯閘．CB－90為新世代低功率、高效能應用產品的ASIC元件，例如寛頻通訊配備、高速運算暨儲存系統、與行動運算裝置，提供尖端的製程技術。

NEC基礎技術發展部門，高階設計技術發展小組的部經理，Toshiyuki Saito表示，「對於使用CB－90流程的設計，針對先進精密的銅製程特性，為了實體寄生電路的汲取，我們需要大量的技術支援，針對我們九十奈米的邏輯元件設計，我們選擇新思科技做為合作發展的伙伴，提供我們具標準簽程精準度的實體電路汲取工具，因為新思科技的Star－RCXT所提供的高效能與生產力，可以符合我們的需求．Star－RCXT也可以針對我們的RC模型技術方式，提供高度的精準性．」

NEC微電子與新思科技，為CB－90的精密銅製程特性共同合作，以改善Star－RCXT的先進繞線模型技術，這項技術包含繞線間隔、線?與金屬密度相關的繞線電阻及電容的計算．在九十奈米設計當中，模擬銅線繞線?度與厚度變異的精密模型，對於需要高精準的時序與訊號整合簽程分析是不可或缺的要素．

新思科技晶片製造部門的資深副總暨總經理，Antun Domic表示，「我們與主要的半導體廠商合作，確保Star－RCXT能夠持續滿足先進製程技術的挑戰，為了先進的九十奈米製程技術，NEC微電子採用Star－RCXT，這更進一步證實了我們對於業界先進技術的研究與發展，滿足了客戶們最不可或缺的需要．」