帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
LG多媒體手機將內建SANDISK 8GB快閃記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 李旻潔 報導】   2009年02月27日 星期五

瀏覽人次:【7230】

快閃記憶體廠商SanDisk公司宣佈,LG最新推出的LG Arena(LG-KM900)全功能多媒體手機將內建SanDisk的iNAND 8GB快閃記憶體。iNAND儲存裝置可為一種用於手機的啟動及儲存裝置,從此不需安裝獨立啟動裝置。

SanDisk的iNAND 8GB快閃記憶體
SanDisk的iNAND 8GB快閃記憶體

LG Arena是LG 2009上半年推出的旗艦機種,該款手機搭載加強版的影音娛樂技術及LG最新的3D S級使用介面。為LG Arena多媒體手機量身打造的SanDisk iNAND EFDs,小巧省電,為用戶帶來快速而可靠的儲存解決方案。

除擁有MLC NAND的高容量儲存外,iNAND也具備儲存系統啟動代碼的功能。iNAND可取代傳統設計的啟動裝置,不僅能節省寶貴的手機設計空間,更能降低手機設計的複雜度、減低手機的耗電量,並能節省安裝單獨啟動裝置的成本。

SanDisk iNAND EFDs的儲存容量提供多樣化的選擇,採用eSD和eMMC標準介面和組合,可搭配各式手機的設計。SanDisk iNAND擁有可控制的的物理分區、可定制性屬性,並提供斷電保護,是兼具有高可靠性的代碼儲存和啟動裝置,及高容量儲存解決方案。

關鍵字: 快閃記憶體  多媒體手機  SANDISK  快閃記憶體 
相關新聞
台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品
攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體
旺宏OctaFlash快閃記憶體 獲車輛安全標準ISO 26262 ASIL D認證
美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用
NetApp Partner Sphere合作夥伴計畫 解決現今快閃記憶體和雲端客戶複雜需求
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BD3XD0K6STACUKY
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw