根據中央社報導，工研院電子所與化工所宣布已成功合作開發出國內首創的單層奈米碳管（SWNT）定位成長技術。該技術採用與現有半導體製程相容之材料與製程，具備與IC整合的潛力，可直接製作在 4至8吋矽晶片基板上。

電子所所長徐爵民表示，單層奈米碳管定位成長技術是電子所繼去年製造出國內第一顆P型與N型奈米碳管場效電晶體（CNT FET）後，又一前瞻技術的研發成功，可有效解決現有塗佈方式進行的奈米碳管場效電晶體位置無法準確控制的問題，並可提升對於需求元件高良率的產業應用層面，以及進一步整合到IC上的應用技術。

電子所奈米電子元件技術組組長蔡銘進指出，此一新技術由化工所進行奈米碳管成長層（內含觸媒）配方之開發與碳管成長參數之調整；電子所負責定位成長製程之設計、整合以及成長試片製作，開發出的碳管具有金屬性或半導體性，在作為高效能金屬連接線以及作為奈米碳管電晶體陣列之用方面極具可行性。

徐爵民指出，在各種奈米電晶體的技術研發中，由於奈米碳管具有高導熱度、高導電度、高電流承載能力和奈米級尺寸等特性，以其為基本元件架構的相關技術發展迅速，其應用之可行性也廣為研究人員所看好，預期將成為未來奈米級IC產品的最佳材料之一。