DisplaySearch太陽能研究小組日前表示，2009年是太陽能產業第一個經歷的太陽能供需循環（Solar Cycle），以後勢必會有更多循環發生。隨著需求的回升，大部分太陽能產業的供應鏈已經迅速恢復，而需求增加和成本降低，至少在2010年上半年，太陽能產業可以逐步邁向平均獲利率20％。至於在2010年之後，激勵與補貼政策將決定下一個週期循環。

全球主要太陽能模組廠商的合計營收，利潤和利潤率

Source: DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report

DisplaySearch太陽能研究小組表示，在2009年上半年，生產能力過剩和整個供應鏈的供過於求，造成太陽能發電系統的平均價格降幅達25％以上。然而低價格的刺激，較為容易的融資環境，以及需求的多樣化，加上各個國家及區域新的獎勵政策推出，讓主要的廠商在2009年第三季順利轉虧為盈。

該研究小組指出，德國新政府將進一步降低再生能源回購費率，將是一個需求再持續增長的重要指標。整體而言，在德國，意大利，日本，美國，法國，中國及其他地區的獎勵措施的變化或更新，將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。DisplaySearch也預測，2010年太陽能電池和模組製造商應該可以看到20％的產業平均利潤率。

在降低成本以維持獲利率的同時，推動電價往Grid Parity（太陽發電成本與傳統發電成本相當）的方向進行，也是太陽能業者的策酪之一。主要降低成本的方法包括使用較少的矽，或使用較便宜的矽。除了提升傳統的多晶矽生產效率之外，新的精煉技術如FBR (Fluid Bed Reactor, 流體床反應器) 以及UMG (Upgraded Metallurgical Grade)等級的多晶矽，將可以進一步提供低成本的多重選擇。不過，由於多晶矽的價格下滑極快，目前業界對於這些新技術的興趣有些微減退，但這些新的多晶矽生產技術依舊在未來可以發揮成本減低的作用。

此外，採用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶矽而降低太陽能模組的總成本。目前太陽能電池製造商已經從2000年的300微米晶圓前進到目前的150微米晶圓，而讓多晶矽使用量降低了50％。另一方面，在進行將晶圓(wafer)由矽錠(ingot)切割而出的製程時，由於切割線(wire)並沒有比矽晶圓本身薄多少，因此常造成許多矽材料在切割缺口處被浪費了。目前開發出的新製程為採用更薄的切割線，或者採用新的切割黏液(Slurry), 甚至採用鍍上金剛石(Diamond)的切割線，用以減少矽的浪費，並讓晶圓切割的更薄。100微米，常常被認為是傳統晶圓切片技術的極限，但由Silicon Genesis 所開發的新的Polymax技術可以切割到只有20微米的單晶矽薄片。

在薄膜太陽能電池技術的部份，目前技術相當多，包含了非晶矽（a-Si）技術，碲化鎘（CdTe）和銅銦鎵硒（CIGS）等等，不過其開發的主要的目的都是通過消除使用晶體矽的吸收層以降低成本，薄膜技術的缺點是能源轉換效率較低。由於設備廠商大量的提供TurnKey的設備，非晶矽廠商大幅擴產的結果，已經將全球的產能由2007年的296 MW，提高到2009年的1.6 GW，預計2010年將達到3.0 GW。然而，由於多晶矽價格較先前預期的大幅降低，影響到非晶矽的需求，因此大部分非晶矽產能處在產能利用率較低的窘境。