據網站Silicon Strategies報導，摩爾定律發表人Gordon E. Moore認為，摩爾定律（Moore's Law）在未來10年內仍然適用於半導體產業，但半導體業者對未來的製程方法仍有相當歧見，何種IC製造方式可以取代CMOS製程仍然沒有定論。

目前最熱門的半導體包括矽鍺（SiGe）、磷化銦（InP），製程技術則包括90奈米CMOS製程，雙閘電晶體或鰭式電晶體（FinFET）及碳奈米管等。雙閘電晶體的確可解決線距過小產生的漏電流問題，介電質的啟始電壓問題也可獲得改善，耗能更較目前的CMOS製程產品降低35％～50％。

改良自雙閘電晶體的鰭式電晶體則使雙閘電晶體的製造問題得到改善；透過將電晶體以垂直配置方式取代傳統的平面配置，可以省下相當空間，增加晶片的集積度。此一技術將使SRAM、輸出入單元的製程進化到65奈米節點，目前英特爾（Intel）、超微（AMD）、台積電等業者及美國加大柏克萊分校等學術單位都在積極開發實用的鰭式電晶體，柏克萊分校宣稱閘據可低至60奈米，台積電宣稱可達35奈米，超微則宣稱理論值可以小到10奈米。

但鰭式電晶體有其限制，若線路的配置及繪圖工具沒有重大突破，則必須耗費長時間的工作才能將現有產品轉化為鰭式電晶體。分析師指出，即使可以用EDA工具取代，也必須等上數年的時間。

化合物半導體如磷化銦等雖擁有良好的特性，但磷化銦的製程成本較高，妨礙其發展。業界人士表示，CMOS最大的優點就在成本低廉，因此CMOS製程生命週期不會太快結束。另一有希望取代CMOS製程的半導體是矽鍺半導體，目前矽鍺半導體已用於40Gbps通訊用電路及77GHz車用雷達等電路上，未來前景大有可觀。