半導體製造商ST，首度揭露了能在薄膜被動元件整合過程中大幅提升接面電容密度的突破性技術。這種新技術擴展了ST領先全球的IPAD（整合式被動與分離式元件）技術，能實現大於30nF/mm2的電容整合度，較當前採用矽或鉭等氧化物或氮化物的技術提高了50倍。

新技術是以一種PZT Perovskites的材料為基礎。這種材料實質上是一種由鉛、鋯、鈦與氧組合而成的化合物。當鋯和鈦的比例不同時，這種材料存在的方式會有很大變化。這些材料具有非常高的介電常數，依特殊材料而定，大約可達到900，是二氧化矽的200倍。值得一提的是，這種材料在已經過驗證的大量IPAD製造過程中，整合成本非常低。

這些整合持續面臨的挑戰是尋找能實現整合電阻或電容價值的新材料。以電容為例，材料的介電常數是非常重要的因素，因為電容流量由表面積決定，因此永遠希望能將其與介電常數最小化。ST的全新PZT技術在退耦和低頻過濾所需的高性能電容整合度方面呈現了突破性進展。

透過在尺寸、效能、成本與即時上市方面實現全新的系統分割最佳化水平，新技術將為客戶帶來更多利益；一個內含單一裸晶的IPAD元件可取代30個分離式元件，且相容於覆晶封裝技術或能與其他IC以SiP方式整合。