高通 (Qualcomm) 與羅德史瓦茲 (Rohde & Schwarz;R&S) 攜手率先展出一系列全新晶片組與處理器,其中包括了上行載波聚合商用數據機晶片、Cat. 9 商用裝置、與具備 Cat. 6 下行傳輸速度並配備 X8 LTE 數據機晶片的 Snapdragon 425 處理器。
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(左一)Peter Carson, Qualcomm Marketing Sr Director;(左二)Amir Ghanouni, R&S Global Account Manager;(左三)姜政宏, R&S行動終端量測部資深業務經理 |
透過與美國高通科技 (Qualcomm) 的密切合作,R&S 率先以LTE-A三個下行元件載波聚合 (3CC) 的連線,在COMPUTEX 2015展覽期間,成功展示了下一代 Qualcomm Snapdragon LTE數據機晶片組的效能;搭配展出的 R&S 測試配置包含了兩台 R&S CMW500 寬頻無線通訊測試儀與 R&S CMWC multi-CMW 控制器。
展出項目
*率先動態展示 Snapdragon X12 LTE數據機晶片的上行載波聚合,以UL/DL configuration 1呈現兩倍的LTE TDD上傳速度,R&S CMW500在此展示中被用以作為 eNode B 模擬器。增強型上行傳輸量將可更快速地分享高品質照片與影音視頻,並加速雲端空間檔案上傳的速度。
*率先動態展出配備X10 LTE數據機晶片的Snapdragon 810處理器於Cat. 9 LTE-A三個下行元件載波聚合 (3xCA) 的連線,其LTE TDD下載速度峰值可達320 Mbps;R&S CMW500於此展示中提供了真實網路連線。
*率先動態展出配備X8 LTE數據機晶片的 Snapdragon 425 處理器於 Cat. 6 LTE-A 兩個元件載波聚合 (2xCA) 的連線,可達300 Mbps相當於兩倍的 LTE 下載速度,將為大容量行動裝置帶來更高品質的傳輸效能。