如今碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片已是提升電動車效率，並延長續航里程的關鍵，博世正積極布局這個高速成長的市場，不僅正式推出第三代SiC晶片，並開始向全球汽車製造商提供樣品、擴大產能，期盼獲得越來越多電動車採用。

博世第三代 SiC 晶片效能提升 20%，尺寸較前一代更小

相較於傳統矽晶片，因碳化矽半導體的切換速度更快、能源效率更高，可有效降低能耗，進而提升電子系統的功率密度。根據市場研究與顧問公司Yole Intelligence 分析，全球SiC 功率半導體市場規模預估將由2023年的23億美元，成長至2029年約 92億美元，主要成長動能來自電動車市場。

博世集團董事會成員暨交通移動事業群主席 Markus Heyn 表示：「碳化矽半導體是推動電動交通的關鍵助力，能控制能源流動並大幅提升其效率。博世透過新一代 SiC 晶片，正持續強化在該領域的科技領導地位；同時協助客戶，打造效能更強、效率更高的電動車，成為在電動交通領域的全球領導SiC晶片製造商。」

值得一提的是，博世第三代SiC晶片同時具備科技優勢與經濟效益，扮演推動高效能電子系統普及化的關鍵角色。其中「微型化」設計正是提升成本效率的關鍵，可讓每片晶圓產出更多晶片。

經調整自1994 年起即存在並廣為業界所知的「博世製程（Bosch process）」蝕刻，可在 SiC 材料中形成高精度垂直結構，大幅提升晶片的功率密度。Heyn表示：「博世新一代的SiC晶片效能因此提升20%，且尺寸明顯較前一代更小，縮小晶片體積同時，仍全面強化車用驅動電子系統效能。」

自2021年第一代 SiC晶片開始量產以來，博世已於全球供應超過6,000 萬顆SiC 晶片，近年來持續加強研發，同時提升製造產能與無塵室規模。作為歐洲共同利益重要計劃（Important Project of Common European Interest, IPCEI）中的微電子和通訊科技專案一環，博世已在半導體領域投資約 30 億歐元。

目前博世已在位於德國羅伊特林根（Reutlingen）的晶圓廠開發、生產第三代SiC晶片，並採用8吋晶圓製程。2025年初，博世於美國加州羅斯維爾（Roseville）收購第二座 SiC 晶片製造廠，正導入先進、複雜度高的生產設備。未來將針對該美國晶圓廠額外投入19億歐元，預計於今年生產第一批SiC晶片作為樣品，提供客戶測試。

Heyn 表示：「未來，博世將自位於德國及美國的晶圓廠供應創新 SiC 晶片。」這將為快速推動電氣化的汽車產業，強化並打造更具韌性的供應鏈。中期來看，博世計畫將其SiC功率半導體產能提升至數億顆等級。