據日本工業新聞報導，由日本富士通與超微（AMD）合資成立的NOR型快閃記憶體（Flash）業者FASL日前表示，該公司有意跨足NAND型快閃記憶體市場，並預定在2004年中推出相關產品，與三星、東芝等主力廠商分庭抗禮。

該報導指出，照相手機及數位相機市場快速興起，NAND型快閃記憶體商機大增，促使許多半導體廠搶進市場，除DRAM廠商美光、英飛凌，NOR型快閃記憶體廠商意法亦將與DRAM廠商海力士聯手進軍NAND型快閃記憶體。而FASL亦不願錯失機會，於日前即傳出已著手研發NAND型產品。

FASL是在2003年7月正式成立，主要業務為研發、生產、銷售NOR型快閃記憶體。為因應市場對大容量快閃記憶體的需求，FASL日前推出512Mb NOR型快閃記憶體，而隨著NAND型產品已進入量產1G產品階段，FASL亦計畫推出大容量NAND型產品。